納米(mi)金(jin)顆(ke)粒(li)-用(yong)Litesizer 500測(ce)試(shi)粒(li)度和(he)Zeta電位(wei)
5 nm納米(mi)金(jin)顆(ke)粒(li)數(shu)量分布峰變窄接(jie)近名(ming)義(yi)粒(li)度,Zeta電位(wei)-48.28 mV顯示(shi)高穩定(ding)性(xing);測(ce)試(shi)數(shu)據偏差小(xiao),確(que)保(bao)可(ke)靠可(ke)重復結(jie)果。
1.介(jie)紹
納米(mi)金(jin)顆(ke)粒(li)因(yin)其(qi)特殊(shu)的電學、光學和(he)熱(re)學性質,跨越(yue)物理、化(hua)學、生物和(he)醫學多個(ge)領域引(yin)起關(guan)註(zhu)。而(er)且因(yin)其(qi)是相(xiang)對穩(wen)定(ding)和(he)無毒(du)的,有(you)潛力用(yong)於(yu)藥物和(he)轉基(ji)因(yin)方(fang)面(mian)[1][2]。在過去的數(shu)十年(nian)中,動態光散(san)射(DLS)已(yi)經成為測(ce)試(shi)膠體(ti)納米(mi)顆(ke)粒(li)粒(li)度的壹(yi)種(zhong)流(liu)行(xing)方(fang)法。而(er)電泳光(guang)散(san)射(ELS)被廣泛用(yong)於(yu)確(que)定懸浮液(ye)中(zhong)納米(mi)顆(ke)粒(li)的穩(wen)定性(xing)[3]。在這(zhe)篇應用(yong)報(bao)告中,我(wo)們通過安(an)東(dong)帕Litesizer 500儀(yi)器(qi)使(shi)用(yong)DLS和(he)ELS原理,來(lai)確(que)定2 nm-10 nm納米(mi)金(jin)顆(ke)粒(li)的膠體(ti)穩(wen)定性(xing)。
2.實(shi)驗(yan)
從(cong)Nanocs采(cai)購2 nm、5 nm和(he)10 nm納米(mi)金(jin)顆(ke)粒(li)儲(chu)備(bei)液(ye)。對於(yu)粒(li)度測(ce)試(shi),儲(chu)備(bei)液(ye)用(yong)NaCl(2 mM)稀(xi)釋到(dao)0.05 mg/mL並過濾(lv)(Whatman 200 nm針(zhen)孔(kong)過(guo)濾(lv)器)。DLS測(ce)試(shi)用(yong)石(shi)英(ying)樣(yang)品池在25 ℃溫度、90°散(san)射角(jiao)條件下進(jin)行(xing)。聚(ju)焦位(wei)置(zhi)和(he)運行(xing)次(ci)數(shu)由(you)儀(yi)器(qi)自動選擇設(she)置(zhi)。每個(ge)測(ce)試(shi)重(zhong)復四(si)次(壹(yi)共是五次(ci))。
對(dui)於(yu)Zeta電位(wei)測(ce)試(shi),儲(chu)備(bei)液(ye)用(yong)磷(lin)酸(suan)鹽緩(huan)沖液(ye)(0.1 mM)稀(xi)釋到(dao)0.05 mg/mL。ELS在溫度25 ℃下(xia),用(yong)安(an)東(dong)帕定制(zhi)的Ω形(xing)狀Zeta電位(wei)樣(yang)品池(與(yu)標準的U形(xing)池相(xiang)比,Ω樣(yang)品池更(geng)能保(bao)證(zheng)獲得(de)穩(wen)定(ding)而(er)高重現(xian)的測(ce)試(shi)結(jie)果[4]。每(mei)次(ci)測(ce)試(shi)在200 V電壓下(xia)運行(xing)200次(ci),每(mei)個(ge)測(ce)試(shi)重(zhong)復四(si)次(壹(yi)共是五次(ci))。
3.結(jie)果與(yu)討(tao)論
DLS測(ce)試(shi)結(jie)果如(ru)表1所(suo)示(shi)。5 nm和(he)10 nm顆(ke)粒(li)的標(biao)準偏差相(xiang)對小(xiao)(約(yue)1%),而(er)最小(xiao)的顆(ke)粒(li)標(biao)準(zhun)偏差更大(2 nm顆(ke)粒(li)為5.4 %)。
表1DLS測(ce)試(shi)的納米(mi)金(jin)粒(li)度

5 nm納米(mi)金(jin)顆(ke)粒(li)的粒(li)度分布基於(yu)三(san)種(zhong)不(bu)同的衡(heng)量模(mo)式(shi)強度、體(ti)積和(he)數量,分別(bie)示於(yu)圖1、圖2和(he)圖3。


光(guang)強(qiang)粒(li)徑(jing)分布(圖1)顯示(shi)壹(yi)個(ge)相(xiang)對寬(kuan)的峰,表明(ming)納米(mi)金(jin)顆(ke)粒(li)可(ke)能發生團聚(ju)。轉換(huan)到(dao)體積粒(li)徑(jing)分布(圖2),峰變窄而(er)且峰位(wei)置(zhi)移動到(dao)接(jie)近名(ming)義(yi)粒(li)度大(da)小(xiao)。轉(zhuan)換(huan)到(dao)數量粒(li)徑(jing)分布(圖3),峰進(jin)壹(yi)步(bu)變窄而(er)且峰位(wei)置(zhi)更加(jia)接(jie)近名(ming)義(yi)粒(li)度。
因(yin)此,以(yi)顆(ke)粒(li)數(shu)量表示的大(da)多數(shu)樣(yang)品,包含(han)的顆(ke)粒(li)直徑接(jie)近5 nm。10 nm和(he)5 nm納米(mi)金(jin)顆(ke)粒(li)測(ce)量的Zeta電位(wei)分別(bie)是-18.68 ± 1.01 mV和(he)-48.28 ± 4.35 mV(表2)。10 nm測(ce)試(shi)系(xi)列顯示(shi)於(yu)圖4。所(suo)有(you)的五個(ge)測(ce)試(shi)呈(cheng)現壹(yi)個(ge)幹凈而(er)尖銳(rui)的峰,峰之(zhi)間(jian)偏差小(xiao)表明(ming)測(ce)試(shi)是可(ke)靠而(er)且可(ke)重復的。


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