瑞士萬通(tong)離子(zi)色(se)譜(pu)應(ying)用-芯中有(you)我--電子(zi)級(ji)硫(liu)酸

在(zai)復(fu)雜(za)的芯片生產(chan)工藝中，硫酸也是(shi)*的試(shi)劑。

矽圓片(pian)在(zai)加工過(guo)程(cheng)中，常(chang)常會(hui)被(bei)不同的雜(za)質所沾汙(wu)，矽圓片(pian)上(shang)不溶(rong)性(xing)固體顆粒(li)或金屬離(li)子(zi)可(ke)能(neng)在(zai)微細(xi)電路之(zhi)間(jian)導(dao)電(dian)，使之(zhi)短(duan)路。鈉(na)、鈣等堿金屬雜(za)質也會(hui)融(rong)進氧(yang)化膜中，導(dao)致(zhi)耐絕緣(yuan)電壓下降(jiang)。硼(peng)、磷(lin)、砷等雜(za)質離(li)子(zi)會(hui)影響擴(kuo)散(san)劑的擴(kuo)散(san)效果(guo)，塵埃(ai)顆粒(li)會(hui)造成(cheng)光刻(ke)缺陷，氧(yang)化層不(bu)平整(zheng)，影響制(zhi)版質(zhi)量(liang)和(he)等離(li)子(zi)蝕(shi)刻(ke)工藝。

為了獲(huo)得(de)高質(zhi)量(liang)集(ji)成(cheng)電路芯片，必(bi)須除(chu)去各種(zhong)沾汙(wu)物(wu)，這就需(xu)要(yao)使(shi)用非(fei)常純凈的化學試(shi)劑來清洗矽圓片(pian)。硫(liu)酸和(he)過(guo)氧(yang)化氫(qing)可(ke)以按(an)比例組成(cheng)有(you)強氧(yang)化性的SPM清洗液(ye)，將(jiang)有(you)機物(wu)氧(yang)化成(cheng)CO₂和(he)H₂O。它還可(ke)用於(yu)光刻(ke)過(guo)程(cheng)中的濕法蝕(shi)刻(ke)去膠，借助於(yu)化學反應(ying)從(cong)矽圓片(pian)的表(biao)面(mian)除(chu)去固體物質，導(dao)致(zhi)固體表(biao)面(mian)全部(bu)或(huo)局(ju)部(bu)溶(rong)解(jie)。

硫(liu)酸在(zai)此(ci)處的作(zuo)用是消除(chu)晶(jing)圓上(shang)的各種(zhong)雜(za)質，那(na)麽(me)其(qi)本身(shen)就不能做為(wei)汙(wu)染源再(zai)引(yin)入雜(za)質，因(yin)此該(gai)工藝對於(yu)硫酸本(ben)身(shen)純凈度的要(yao)求也相(xiang)當(dang)高。1975年，美(mei)國(guo)的半導體(ti)設(she)備(bei)與材料(liao)協會(hui)（Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI）首(shou)先為(wei)微電(dian)子(zi)工業配(pei)套(tao)的電子(zi)級(ji)化學品制(zhi)定了(le)統壹(yi)標(biao)準(zhun)（SEMI標(biao)準(zhun)）；1978年，德國(guo)的默(mo)克(ke)公司也制(zhi)定了(le)MOS標(biao)準(zhun)。兩種(zhong)標(biao)準(zhun)對電(dian)子(zi)級(ji)化學品中(zhong)金屬雜(za)質和(he)微粒(li)（塵埃(ai)）的要(yao)求各有(you)側(ce)重，分別適(shi)用於(yu)不同級(ji)別IC的制作(zuo)要(yao)求。

到(dao)目前(qian)為止(zhi)，中(zhong)國(guo)還沒(mei)有(you)電子(zi)級(ji)硫(liu)酸國(guo)家(jia)標(biao)準(zhun)，現行(xing)的硫酸標(biao)準(zhun)有(you)GB/T 534-2014《工業硫(liu)酸》、HG/T 4559-2013《超(chao)凈高純硫酸》和(he)HG/T 2692-2015《蓄電(dian)池(chi)用硫酸》均(jun)不適(shi)合(he)電子(zi)級(ji)硫(liu)酸產(chan)品，中(zhong)國(guo)的試(shi)劑企業壹(yi)般(ban)將電子(zi)級(ji)硫(liu)酸劃分為低塵高純級、MOS級(ji)和(he)BV-III級，其(qi)中BV-III級(ji)電(dian)子(zi)級(ji)硫(liu)酸的單項(xiang)金屬雜(za)質質(zhi)量(liang)分數不超(chao)過(guo)1*10^-8，相當(dang)於(yu)SEMI-C7標(biao)準(zhun)。

瑞士萬通(tong)智能(neng)離(li)子(zi)色(se)譜(pu)系統(tong)和(he)伏安(an)極譜(pu)儀(yi)可(ke)以(yi)針對電(dian)子(zi)級(ji)硫(liu)酸中(zhong)多種(zhong)雜(za)質進(jin)行(xing)檢(jian)測(ce)，瑞士制(zhi)造，瑞士品質(zhi)，滿足(zu)您(nin)的各種(zhong)檢測(ce)需(xu)求。

離(li)子(zi)色(se)譜(pu)法(fa)測(ce)定電(dian)子(zi)級(ji)硫(liu)酸中(zhong)F^-含(han)量(liang)

有(you)機酸排(pai)斥(chi)柱(zhu)可以(yi)分離F^-，還可(ke)以(yi)不(bu)受PH的影響，而(er)其(qi)它常規陰離子(zi)在(zai)排(pai)斥(chi)柱(zhu)上(shang)無保留，。

有(you)機酸排(pai)斥(chi)柱(zhu)，淋(lin)洗液(ye)：0.5mmol/L 稀(xi)硫酸，流(liu)速(su)：0.5ml/min。進樣(yang)體(ti)積(ji)20µL

離子(zi)色(se)譜(pu)法(fa)測(ce)定電(dian)子(zi)級(ji)硫(liu)酸中(zhong)陽(yang)離子(zi)含(han)量(liang)

本實(shi)驗用雙閥(fa)切(qie)換(huan)結(jie)合(he)氫(qing)氧(yang)根(gen)離(li)子(zi)固相萃(cui)取(qu)柱(zhu)（IC-OH）技術(shu)中(zhong)和(he)濃(nong)硫(liu)酸待(dai)測(ce)液(ye)中(zhong)的氫(qing)離(li)子(zi)。

樣(yang)品與加標(biao)疊(die)加譜(pu)圖(tu)

分離柱(zhu)：METROSEP C4-150； 淋(lin)洗液(ye)：1.7mMHNO3+0.7mM吡(bi)啶二羧酸的超(chao)純水溶(rong)液(ye)；六(liu)通(tong)閥A：定量(liang)環(huan)1.5 μL，六(liu)通(tong)閥B：定量(liang)環(huan)100μL；流(liu)速(su)0.9mL/min。多思加液(ye)器(qi)(Dosino)加液(ye)速(su)度1.0mL/min，把1.5μL樣(yang)品從(cong)閥A通(tong)過(guo)IC-OH柱(zhu)轉(zhuan)移到(dao)閥B的體積(ji)為0.3mL。

伏安(an)極譜(pu)法(fa)測(ce)定電(dian)子(zi)級(ji)硫(liu)酸中(zhong)重金屬含(han)量(liang)

已(yi)知(zhi)體積(ji)及質量(liang)的樣(yang)品置(zhi)於(yu)用硝酸浸泡(pao)過(guo)夜的燒杯中(zhong)（樣(yang)品體(ti)積(ji)為4.7 mL，質量(liang)為8.5038 g），然(ran)後(hou)用優級純的氨水調節pH至7，所得樣(yang)品後(hou)用超(chao)純水定容(rong)至100 mL。

采用pH 9.5 氨性緩沖(chong)液(ye)及(ji)丁二酮(tong)胍(gua)二鈉(na)鹽(yan)溶(rong)液(ye)作(zuo)為支(zhi)持(chi)電(dian)解(jie)質(zhi)

采用C14H23N3O10，硝(xiao)酸鈉(na)，醋(cu)酸鈉(na)的混合溶(rong)液(ye)作(zuo)為支(zhi)持(chi)電(dian)解(jie)質(zhi)

采用溴酸鉀(jia)，氫(qing)氧(yang)化鈉(na)，三乙(yi)醇(chun)胺(an)的混合溶(rong)液(ye)作(zuo)為支(zhi)持(chi)電(dian)解(jie)質(zhi)

電子(zi)級(ji)試(shi)劑中雜(za)質的檢測(ce)是(shi)壹項十分重要(yao)又(you)比較(jiao)困難的工作(zuo)，瑞士萬通(tong)可以(yi)提(ti)供(gong)多種(zhong)解決(jue)方(fang)案(an)，結果(guo)準(zhun)確，儀(yi)器穩(wen)定，自(zi)動(dong)化程(cheng)度高。