近紅(hong)外光(guang)譜(pu) “力(li)挺(ting)”半(ban)導體行(xing)業(ye)

什麽是(shi)半(ban)導體

半(ban)導體( semiconductor)，指常(chang)溫下(xia)導(dao)電(dian)性(xing)能介於(yu)導(dao)體(conductor)與(yu)絕(jue)緣(yuan)體(insulator)之間(jian)的材料(liao)。

半(ban)導體按(an)照(zhao)制(zhi)造(zao)技(ji)術(shu)可(ke)以(yi)分為(wei)：集(ji)成電路器(qi)件(jian)、分立(li)器件(jian)、光(guang)電(dian)半(ban)導體、邏(luo)輯IC、模(mo)擬IC、儲存(cun)器(qi)等(deng)大(da)類(lei)。

什麽是(shi)芯片(pian)

芯(xin)片(pian)，又(you)稱微(wei)電(dian)路（microcircuit）、微(wei)芯(xin)片(pian)（microchip）、集(ji)成電路（integrated circuit, IC）。是(shi)指(zhi)內(nei)含集(ji)成電路的(de)矽(gui)片(pian)，體積很小(xiao)，常(chang)常(chang)是(shi)計算(suan)機或其(qi)他電(dian)子設備(bei)的(de)壹部分。

• 制(zhi)造(zao)工藝(yi)流(liu)程(cheng)

註：CMP即(ji)化學(xue)機械(xie)拋光(guang)                                                                                                     

• 光(guang)刻(ke)和(he)刻(ke)蝕(shi)

光(guang)刻(ke)是(shi)將(jiang)圖(tu)形轉移(yi)到覆蓋在半(ban)導體矽(gui)片(pian)表(biao)面的光(guang)刻(ke)膠(jiao)上的(de)過(guo)程(cheng)。這些(xie)圖形必(bi)須(xu)再轉(zhuan)移(yi)到光(guang)刻(ke)膠(jiao)下(xia)面組成器(qi)件(jian)的各薄(bo)層(ceng)上，這(zhe)壹(yi)工藝(yi)過程(cheng)我們(men)稱之為(wei)刻蝕，即(ji)選(xuan)擇性(xing)地刻(ke)蝕(shi)掉(diao)該(gai)薄(bo)層(ceng)上未被(bei)掩(yan)蔽地部(bu)分。

• 刻(ke)蝕的方法(fa)

刻蝕(shi)有兩種基(ji)本(ben)方法(fa)：濕法(fa)化學(xue)刻蝕(shi)和幹法(fa)刻蝕(shi)。

濕法(fa)化學(xue)刻蝕(shi)的機(ji)理(li)主要(yao)包括三(san)個(ge)階段(duan)：反(fan)應(ying)物通過擴散(san)到反(fan)應(ying)物表(biao)面，化學(xue)反(fan)應(ying)在表(biao)面上進(jin)行(xing)，然後通過擴散(san)將(jiang)反(fan)應(ying)生成(cheng)物從表(biao)面移(yi)除(chu)。濕(shi)法(fa)化學(xue)刻蝕(shi)較為(wei)適用(yong)於(yu)多(duo)晶(jing)矽(gui)、氧化物、氮化物、金屬(shu)和(he)Ⅲ-Ⅴ族化(hua)合(he)物地表(biao)面刻蝕(shi)。

近紅(hong)外(wai)光(guang)譜(pu)技(ji)術(shu)因(yin)其(qi)以(yi)下(xia)*的(de)優(you)勢在半(ban)導體行(xing)業(ye)有著(zhe)廣泛的應(ying)用。

• 非(fei)侵入(ru)式(shi)的方法(fa)
• 防(fang)止的微(wei)小(xiao)的(de)汙(wu)染(ran)
• 準確(que)性高(gao)，重(zhong)現性好
• 無需(xu)稀(xi)釋(shi)樣品(pin)
• 可(ke)以(yi)定(ding)量(liang)分析(xi)
• 既能(neng)做化(hua)學(xue)分析(xi)又能(neng)做物理指標
• 含有特(te)制(zhi)光(guang)纖(xian)探(tan)頭(tou)的(de)在線(xian)近(jin)紅(hong)外(wai)光(guang)譜(pu)儀(yi)可(ke)以(yi)集(ji)成到整個(ge)系(xi)統中(zhong)

►  應(ying)用案(an)例壹：使用近(jin)紅外(wai)光(guang)譜(pu)儀(yi)測(ce)定(ding)混酸刻蝕(shi)液

分別(bie)選(xuan)用(yong)1mm和(he)4mm光(guang)程(cheng)的比色(se)皿測(ce)得譜圖(tu)如(ru)下(xia)，通過觀(guan)察光(guang)譜(pu)可(ke)以(yi)發現從1900nm開始4mm光(guang)程(cheng)的比色(se)皿光(guang)譜(pu)噪(zao)聲(sheng)開(kai)始增(zeng)加(jia)，因(yin)此(ci)我(wo)們(men)選(xuan)用(yong)1mm光(guang)程(cheng)比色(se)皿進(jin)行(xing)測(ce)定。

通過Vision軟(ruan)件(jian)建模(mo)，並測定(ding)的(de)混酸刻(ke)蝕液各組分含量與(yu)實驗(yan)室(shi)常(chang)規方法(fa)分析(xi)的數(shu)值(zhi)如(ru)下(xia)表(biao)所示(shi)，可(ke)以(yi)看(kan)到近紅外的預(yu)測(ce)結(jie)果與(yu)實驗(yan)室(shi)方法(fa)基(ji)本(ben)壹(yi)致，誤(wu)差(cha)很小(xiao)。

►  應(ying)用案(an)例二：使用在線(xian)近(jin)紅(hong)外(wai)光(guang)譜(pu)儀(yi)測(ce)定(ding)清洗(xi)液

如(ru)下(xia)圖(tu)為(wei)使用瑞(rui)士(shi)萬通在線(xian)近(jin)紅(hong)外(wai)光(guang)譜(pu)儀(yi)連續監(jian)控(kong)客(ke)戶(hu)的(de)SC1清洗(xi)液狀(zhuang)態。我(wo)們可(ke)以(yi)看(kan)到隨著清洗(xi)液的(de)消(xiao)耗(hao)，NH₄OH的(de)含量逐漸降低(di)，客(ke)戶(hu)可(ke)以(yi)根(gen)據(ju)監控(kong)的情(qing)況(kuang)操作清洗(xi)流(liu)程(cheng)。

►   應(ying)用案(an)例三：使用在線(xian)近(jin)紅(hong)外(wai)光(guang)譜(pu)儀(yi)動(dong)態(tai)監測IPA異(yi)丙醇(chun)

IPA異(yi)丙醇(chun)作為(wei)清洗(xi)去除劑(ji)，在清洗(xi)的(de)過程(cheng)中(zhong)會有雜質混(hun)入(ru)該(gai)溶劑(ji)。它的近紅(hong)外(wai)光(guang)譜(pu)如(ru)下(xia)圖(tu)，在1900~2000nm波長範圍內(nei)，明(ming)顯(xian)可(ke)見雜質EKC-265對(dui)譜圖(tu)的(de)影響。

我(wo)們利(li)用(yong)該(gai)波段(duan)建(jian)立(li)EKC-265的近紅(hong)外(wai)模(mo)型(xing)，可(ke)以(yi)看(kan)到模(mo)型(xing)的R²達9.9989，SEC為0.0629。利(li)用(yong)該(gai)模(mo)型(xing)我們就(jiu)可(ke)以(yi)即(ji)可(ke)監控(kong)異(yi)丙醇(chun)中(zhong)的(de)雜質含量的(de)變化。

瑞(rui)士(shi)萬通DS2500 近紅(hong)外光(guang)譜(pu)液體分析(xi)儀及(ji)配件(jian)

瑞(rui)士(shi)萬通XDS在線(xian)近(jin)紅(hong)外(wai)光(guang)譜(pu)分析(xi)儀

• 無(wu)損光(guang)譜(pu)技(ji)術(shu)
• 波(bo)長(chang)範圍800-2200nm，可(ke)實現廣泛的應(ying)用
• 可(ke)實時(shi)進行(xing)定(ding)性分析(xi)、多組分定(ding)量分析(xi)與(yu)趨(qu)勢分析(xi)
• 儀器(qi)符合(he)NEMA4X防(fang)護(hu)等(deng)級
• 無(wu)需(xu)化(hua)學(xue)試劑(ji)，綠色(se)環保節約(yue)成(cheng)本
• 特氟(fu)龍(long)材質流(liu)通池